Понедельник, 23.12.2024, 15:05
TECH-INFORM
Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта
Категории раздела
Трансграничное сотрудничество и еврорегионы [100]
Трансфер технологий [25]
Кластерные инициативы [15]
Венчурное финансирование [26]
Новости R&D [53]
Сланцевый газ [11]
Трансграничный туризм [7]
Информационное общество [50]
3D printing [1]
Инновационная инфраструктура [20]
Источники света [3]
Краудфандинг [1]
Форма входа
Наш опрос
Оцените мой сайт
Всего ответов: 29
Статистика

Онлайн всего: 2
Гостей: 2
Пользователей: 0

Украинская Баннерная Сеть

Главная » Источники света
светодиодная индустрия

Председателем Правления Некоммерческого партнёрства Производителей Светодиодов и Систем на их основе (НП ПСС) избран Александр Морозов, директор департамента программ стимулирования спроса Фонда инфраструктурных и образовательных программ ОАО «РОСНАНО». Членами Правления единственного в России отраслевого объединения светодиодных компаний–производителей стали: Евгений Долин (генеральный директор НП ПСС), Сергей Никифоров (генеральный директор испытательного центра ООО «Архилайт»), а также руководители двух российских лидеров в области производства светодиодов, которые два года назад выступили с инициативой создания НП ПСС: Алексей Мохнаткин ... Читать дальше »

Категория: Источники света | Просмотров: 587 | Добавил: Egoriy | Дата: 11.09.2012 | Комментарии (0)

Компания EpiGaN (Хасселт, Бельгия) успешно начала разработку технологии получения нитрида галлия на кремнии на подложках диаметром 200 мм.

Молодая компания EpiGaN из бельгийского города Хасселт, специализирующаяся на эпитаксии нитридных соединений, недавно приобрела две системы МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD) производства компании AIXTRON, позволяющие выращивать эпитаксиальные гетероструктуры на подложках диаметром 6 или 8 дюймов (150 или 200 мм). Эти системы будут использоваться как для коммерческого производства эпитаксиальных пластин нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 150 мм для приборов ВЧ- и силовой электроники, так и для разработки технологии получения эпитаксиальных пластин нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 200 мм.

Компания EpiGaN отделилась от известно ... Читать дальше »

Категория: Источники света | Просмотров: 707 | Добавил: Egoriy | Дата: 29.07.2012 | Комментарии (0)

Новейшая разработка компании AIXTRON SE представляет собой систему для выращивания нитрида галлия на кремнии производительностью 5×200 мм, в основе которой лежит платформа планетарного реактора последнего поколения AIX G5®. Технология была создана в лаборатории исследований и разработок компании AIXTRON в соответствии с современными тенденциями в мире высоких технологий и включает в себя специальную конструкцию реактора и ряд усовершенствований технологического процесса. Система является продолжением линейки реакторов поколения G5, и любая система G5 может быть модернизирована до последней версии.

«Технология выращивания нитрида галлия на кремнии в настоящий момент является актуальной как для производителей, выпускающих установки МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD), так и для компаний использующих эту технологию для производства& ... Читать дальше »

Категория: Источники света | Просмотров: 806 | Добавил: Egoriy | Дата: 29.07.2012 | Комментарии (0)

Поиск
Календарь
«  Декабрь 2024  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
      1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031
---

Украинская Баннерная Сеть


Украинская Баннерная Сеть
--> --> --> -->
Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
  • Copyright MyCorp © 2024Создать бесплатный сайт с uCoz
    Яндекс.Метрика Счетчик тИЦ и PR